SK Hynix разрабатывает модули памяти DDR4 объемом 128 Гб
Опубликовано: 02.12.2018
SK Hynix Inc. объявляет о выпуске первого на планете модуля DDR4 высокой плотности. Он создан на основе восьми гигабитных микросхем, произведенных по нормам техпроцесса. Модули памяти обладают вдвое большей плотностью, чем у имеющихся 64-х гигабайтных модулей, производимых по технологии TSV. Не так давно свои модули памяти DDR4 представила компания SMART Modular.
Новинка имеет 64-х битовый интерфейс I/O и функционирует с частотой 2133 мегабит в секунду. Ширина пропускания доходит семнадцати гигабайт в сек. Рабочее напряжение памяти составляет 1.2 Вольта, что еще меньше, чем у низковольтных DRR3 (1.35В).
SK Hynix собирается запустить промышленное производство памяти объемом 128 Гб в 1-ом полугодии будущего года. Как говорят в компании, новые сто двадцати восьми гигабайтные модули предназначаются для использования на рынке серверов. Согласно данным Gartner, рынок серверных модулей памяти DRAM к 18-му году увеличиться на 37 процентов. Значит, новые модули будет весьма востребованы сразу после выпуска, а к 2016-му году стандарт DDR4 будет уже основным в промышленности.
Похожие материалы: